常應用于等離子體清洗的氣體有氬氣、氧氣、氫氣、四氟化碳及其混合氣體等。在半導體封裝工藝中，經?？梢钥吹讲捎脷鍤馀c氫氣混合的清洗方法。下面就介紹一下為什么會使用氬氫混合氣體作為清洗的工藝氣體。
這是由于氧氣清洗容易造成二次氧化，工藝控制難度大，氫氣是易燃易爆氣體，安全性方面需要注意和防范，所以一般使用的是氬氫混合氣體（95%Ar5%H2)。
采用Ar，H2混合等離子體清洗基片，可以起到化學清洗和物理清洗的雙重作用，同時氬等離子體的引入還有利于提高氫等離子體的數量，能夠增強樣品的清洗效果。具體工作原理如圖1所示
物理清洗
氬等離子體參與的是表面反應以物理反應為主的等離子體清洗，也叫濺射刻蝕。氬離子在自偏壓或外加偏壓作用下被加速產生動能，然后轟擊到放在負電極上的被清洗樣品表面。氬離子撞擊表面時產生的巨大能量可清除附著污染物，轟擊產生的機械能可將污染物中的大分子化學鍵分離成小分子而汽化(式(1))，隨后被抽走。氬氣本身是隋性氣體，等離子態的氬氣并不和樣品表面分子發生反應，保持了被清洗物的化學純潔性，且腐蝕作用各向異性。然而，對于氬、氫混合氣體，由于氬的原子量為39．95，遠大于氫的原子量1．00794，因而在加速過程中氬離子獲得了較大的動能，通過對氫氣的撞擊作用能夠起到分離氫分子，增加氫等離子體數量的效果。
Ar+e－→Ar++2e－，Ar++沾污→揮發性沾污（1）
化學清洗
氫等離子體參與的是表面反應以化學反應為主的等離子體清洗。一般在基底表面會覆蓋有一層很薄的氧化層。在高頻電磁場作用下，氫等離子體通過輝光放電的方式產生，除了包含高溫電子外，還包含有各種氫離子(H+、H2+、H3+、H－)、基態和電子激發態的氫原子及氫分子。其中，大量的活性氫原子在低溫下能夠與樣品表面分子發生還原反應，有效去除基底表面氧化層并活化表面性能。同時，氫等離子體清洗還有助于修復氬等離子體轟擊過程中產生的輕微損傷，從而提高樣品表面均勻性。
采用氫氬混合氣體，能夠有效地去除基底表面的污染物。在清洗過程中氫等離子體能夠去除氧化物，而氬通過離子化能夠促進氫等離子體數量的增加，提高氬氫等離子體的還原活性。氬氫和氬等離子體清洗結果有這么大的差別是由于清洗機制的不同。當氬作為工作氣體的時候，去除氧化物主要靠表面的濺射；而氫等離子體引入了氧和氫之間的化學反應。
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