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          常見的低溫等離子體源及其工作原理簡介
          
            
          文章出處：等離子清洗機廠家 | 深圳納恩科技有限公司| 發表時間：2023-04-18
          
         
			
          
            	

				在工業生產中應用最廣泛的一種等離子體是低溫等離子體，這種等離子體的電子溫度遠大于離子溫度和原子溫度，通常其電子溫度在幾到幾十電子伏特之間，而離子溫度約為室溫，在工業生產中不會對材料造成損傷。針對如何產生低溫等離子體科學家們已經進行了大量研究，開發了多種不同類型的產生低溫等離子體的裝置，接下來將簡要介紹一些常見的低溫等離子體源及其工作原理。
          

          

          
	常見的低溫等離子體源及其工作原理簡介
          

          
目前，常見的低溫等離子體源包括：射頻容性耦合等離子體（Capacitively Coupled Plasmas，CCP）源、ICP源、微波電子回旋共振（Electron Cyclotron Resonance，ECR）等離子體源以及螺旋波（Helicon）等離子體源。
          

          
在這些低溫等離子體源中，CCP源是最早被應用于半導體芯片處理工藝中的，主要用于薄膜沉積和刻蝕。圖1.1（a）為常用單頻CCP源的結構裝置，通過匹配網絡將射頻功率源連接到平板電極的高壓端，平板電極的另一端直接與地相連。當電源接通之后，在上下兩個電極之間形成高壓電場，進而加速電子碰撞氣體分子激發放電，從而得到大面積均勻的等離子體[6]。隨著生產效率的不斷提高，對工藝技術也提出了更高的要求，因此人們在原來單一射頻源驅動的基礎上提出了雙頻驅動的CCP源。所謂雙頻CCP源就是由一個高頻電源和一個低頻電源共同驅動，如圖1.1（b）所示。其中高頻電源主要用來控制電子能量，低頻電源通過控制鞘層特性進而影響離子能量，從而改善了單頻放電不能獨立控制等離子體密度和離子能量的缺點。          

          
	圖 1 .1  CCP 源結構示意圖：（ a）單頻 CCP 源；（ b）雙頻 CCP 源
          
	圖 1 .1  CCP 源結構示意圖：（ a）單頻 CCP 源；（ b）雙頻 CCP 源
          
	 
          
第二種，ECR等離子體源是繼CCP源之后提出的一種新的產生低溫等離子體的裝置。圖1.2是常見的ECR等離子體源的結構裝置，其中磁場線圈主要為放電系統提供穩恒磁場，使電子在洛倫茲力的作用下做回旋運動，而且必須保證電子的回旋頻率等于微波源的頻率或其頻率的整數倍，這樣電子才會與電磁波發生共振獲得能量，待電子獲得足夠高的能量與中性粒子發生非彈性碰撞，進而電離產生等離子體。該裝置可以在幾毫托的氣壓下產生密度較高的等離子體，另外，可以通過改變微波功率的大小來調節電子溫度、電子密度以及電子能量分布，從而增加高能電子的含量，同時可以通過磁場形狀的選取產生均勻的等離子體。然而，由于該裝置需要外加磁場線圈形成穩恒磁場，既提高了設備成本，又使裝置結構更加復雜，不利于工業生產。

          
	圖 1 .2 ECR 等離子體源結構示意圖
          
	圖 1 .2 ECR 等離子體源結構示意圖
          
	 
          
第三種，Helicon等離子體源常見放電裝置如圖1.3所示。當向磁場中的線圈通入高頻電流時，電流周圍會感應出一個交變的磁場，這個交變磁場會使等離子體內部的磁場發生擾動，進而將能量傳遞給電子。在電場的作用下，電子加速動能增大與周圍的氣體分子碰撞，從而產生等離子體。一般情況下，該裝置所需外加磁場的強度為100G，產生的等離子體密度在1011-1012cm-3之間。該類型的等離子體源也可以獲得密度較高的等離子體，同時可以實現等離子體密度和離子能量的獨立控制。但在Helicon放電過程中存在多種模式的跳變，不利于工作參數的調節；另一方面，該裝置也需要外加磁場，很難實現大面積均勻放電。

          
	圖 1.3 Helicon 等離子體源結構示意圖
          
	圖 1.3 Helicon 等離子體源結構示意圖
          
	 
          
第四種，ICP源，根據天線的位置，一般將其分為兩種：一種是平面天線結構，這種結構是將線圈放置在放電腔室頂部的石英介質窗上，如圖1.4（a）所示；第二種是柱狀線圈結構，即把通電線圈纏繞在石英放電腔的側壁，如圖1.4（b）所示。當線圈中通入射頻電流時，線圈周圍會感應出一個變化的磁場，這個變化的磁場又會感應出一個渦旋電場，反應腔室中的電子在渦旋電場的作用下，加速碰撞氣體分子發生電離。在生產過程中，可以根據需要改變腔室的尺寸，從而產生大體積、大面積的等離子體。

          
	圖 4 ICP 源結構示意圖：（ a ）平面天線；（ b ）柱面天線
          
	圖 1.7 ICP 源結構示意圖：（ a ）平面天線；（ b ）柱面天線
          
	 
          
與其他等離子體源相比，ICP源具有顯著的優點：（1）不需要采用高壓射頻電極，可以減輕容性放電中常見的污染；（2）不需要復雜的微波和外磁場設備，裝置成本較低且結構簡單；（3）不需要考慮螺旋波與線圈之間的共振耦合，同時也不需要施加磁場。因此，近年來ICP被廣泛應用于超大規模集成電路制造、材料加工、薄膜沉積及等離子體刻蝕等領域。
          
 
          
 
          

            
          
            
        
          
        
          
        	
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